Análisis comparativo del nivel de defectuosidad en los dispositivos de potencia SiC MOSFETs
DOI:
https://doi.org/10.47187/perspectivas.vol2iss1.pp33-37.2020Palabras clave:
Silicio de Carburo, MOSFETs, HistéresisResumen
Actualmente los transistores de efecto de campo fabricados en carbono de silicio son una tecnología emergente que está ingresando al mercado de los dispositivos de potencia, debido a los superiores beneficios que presenta esta familia de semiconductores con relación al silicio. Por su amplia banda prohibida presenta varias peculiaridades de defectuosidad dentro de su estructura que afectan directamente a las características eléctricas de los dispositivos, el objetivo de este artículo es determinar el grado de defectuosidad al interno de la estructura MOS, mediante la técnica de caracterización histéresis en corriente continua, Para lograr este propósito, experimentalmente se evaluó dos familias de dispositivos MOSFETs fabricados en silicio de carbono de características eléctricas diferentes, los dispositivos evaluados pertenecen a la misma empresa. El grado de defectuosidad mostrado por cada dispositivo marca una tendencia de acuerdo con sus características eléctricas y su respectiva familia.
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